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芯片HAST測試技術規(guī)范
芯片HAST測試技術規(guī)范
詳情說明 / Details

適用范圍:  

該試驗檢查芯片長期貯存條件下，高溫和時間對器件的影響。本規(guī)范適用于量產芯片驗證測試階段的HAST測試需求，僅針對非密封封裝(塑料封裝)，帶偏置(bHAST)和不帶偏置(uHAST)的測試。

簡介：

該試驗通過溫度、濕度、大氣壓力加速條件，評估非密封封裝器件在上電狀態(tài)下，在高溫、高壓、潮濕環(huán)境中的可靠性。它采用了嚴格的溫度，濕度，大氣壓、電壓條件，該條件會加速水分滲透到材料內部與金屬導體之間的電化學反應。

引用文件：

下列文件中的條款通過本規(guī)范的引用而成為本規(guī)范的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本規(guī)范，然而，鼓勵根據本規(guī)范達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本規(guī)范。

參考標準

1.  HAST測試流程

1.png

HAST測試流程

2.  HAST測試條件

2.1 溫度、濕度、氣壓、測試時間  HAST試驗條件如下表所示：

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溫度、濕度、氣壓、測試時間

? 通常選擇HAST高壓加速老化試驗箱RK-HAST-350，即：130℃、85%RH、230KPa大氣壓，96hour測試時間。

? 測試過程中，建議調試階段監(jiān)控芯片殼溫、功耗數據推算芯片結溫，要保證結溫不能過 高，并在測試過程中定期記錄。結溫推算方法參考《HTOL測試技術規(guī)范》。

? 如果殼溫與環(huán)溫差值或者功耗滿足下表三種關系時，特別是當殼溫與環(huán)溫差值超過 10℃時，需考慮周期性的電壓拉偏策略。

殼溫與環(huán)溫差值或者功耗

? 注意測試起始時間是從環(huán)境條件達到規(guī)定條件后開始計算；結束時間為開始降溫降壓操 作的時間點。

2.2 電壓拉偏

uHAST測試不帶電壓拉偏，不需要關注該節(jié)；

bHAST需要帶電壓拉偏，遵循以下原則：

(1) 所有電源上電，電壓：最大推薦操作范圍電壓(Maximum Recommended Operating Conditions）

(2) 芯片功耗最小(數字部分不翻轉、輸入晶振短接、其他降功耗方法)；

(3) 輸入管腳在輸入電壓允許范圍內拉高。

(4) 其他管腳，如時鐘端、復位端、輸出管腳在輸出范圍內隨機拉高或者拉低；

2.3 樣本量

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3.  HAST設備

? 高溫、高壓、濕度控制試驗箱（HAST高壓加速老化試驗箱）——溫度、濕度、氣壓強度范圍可控，測試時間可控。

4.  失效判據

? ATE\功能篩片有功能失效、性能異常。

5.  HAST測試注意事項

? 測試過程要求每天記錄電源電壓、電流、環(huán)境溫度、殼溫(推算結溫)等關鍵數據。

? 注意芯片內部模擬電路是否有上電默認開啟的模塊，這樣的模塊會導致靜態(tài)電流太大，引起其他機制的失效。

? 調試過程注意，考慮到較大的電流引起壓降，電壓等的記錄應該是到板電壓，而不是電源源端電壓。

? 調試過程注意，室溫條件下的電源電壓與規(guī)定要求下的電源電壓不同，可以在室溫下初調，待試驗環(huán)境到達HAST設定條件后做最終調試。